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2026.04.17 (금)

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대면적 (111) 다이아몬드 기판 제작 기술에 관한 논문 발표

차세대 전력 반도체 및 양자 디바이스용 다이아몬드 기판 연구 성과 도쿄, 2026년 4월 17일 -- Orbray 주식회사는 다이아몬드 반도체 소재의 대면적화 기술에 관한 연구 성과를 정리한 논문 「Freestanding 30 mm square {111} twin-free heteroepitaxial diamonds grown on highly-misoriented {0001} sapphire substrates」 를 응용물리 분야의 국제학술지 「Applied Physics Express」에 발표했습니다. 당사는 사파이어 기판 위에서의 헤테로에피택셜 성장 기술을 활용하여 (111) 다이아몬드 기판 기준으로 세계 최대인 20mm x 20mm 크기의 기판 제작에 성공했음을 지난해 3월에 발표했습니다. 이번 연구에서는 이를 한 단계 발전시켜, 30mm x 30mm 크기의 대면적이면서도 높은 품질과 순도를 갖춘 (111) 단결정 다이아몬드 자립 기판 제작 기술을 새롭게 확립했습니다. 또한 제어가 어려운 결정 결함인 '트윈(쌍정)'을 효과적으로 억제할 수 있는 핵심 성장 조건도 밝혀냈습니다.&nbs

대면적 (111) 다이아몬드 기판 제작 기술에 관한 논문 발표

차세대 전력 반도체 및 양자 디바이스용 다이아몬드 기판 연구 성과 도쿄, 2026년 4월 17일 -- Orbray 주식회사는 다이아몬드 반도체 소재의 대면적화 기술에 관한 연구 성과를 정리한 논문 「Freestanding 30 mm square {111} twin-free heteroepitaxial diamonds grown on highly-misoriented {0001} sapphire substrates」 를 응용물리 분야의 국제학술지 「Applied Physics Express」에 발표했습니다. 당사는 사파이어 기판 위에서의 헤테로에피택셜 성장 기술을 활용하여 (111) 다이아몬드 기판 기준으로 세계 최대인 20mm x 20mm 크기의 기판 제작에 성공했음을 지난해 3월에 발표했습니다. 이번 연구에서는 이를 한 단계 발전시켜, 30mm x 30mm 크기의 대면적이면서도 높은 품질과 순도를 갖춘 (111) 단결정 다이아몬드 자립 기판 제작 기술을 새롭게 확립했습니다. 또한 제어가 어려운 결정 결함인 '트윈(쌍정)'을 효과적으로 억제할 수 있는 핵심 성장 조건도 밝혀냈습니다.&nbs